El mexicano Héctor Alejandro Cabrera Fuentes, acusado en Estados Unidos de espiar para el gobierno de Rusia, se declarará culpable ante una corte de Miami.

El científico fue detenido en febrero de 2020 y al mes siguiente se declaró no culpable de “actuar dentro de Estados Unidos en nombre de un gobierno extranjero (Rusia) sin notificarlo al fiscal general, y conspiración para hacer lo mismo”.

Tras dos años encarcelado el mexicano se presentará el próximo 15 de febrero ante una corte de Miami, Florida.

De acuerdo con el gobierno estadounidense Héctor Alejandro Cabrera fue contactado por agentes del gobierno ruso en 2019 para alquilar una propiedad en Miami y tomar fotografías a la matrícula e informar la ubicación del vehículo de un funcionario del FBI.

Al momento de su detención se encontraron en su teléfono celular fotos de la placa del agente del FBI, “consistente con las tácticas de los servicios de inteligencia rusos para detectar, evaluar, reclutar y manejar activos y fuentes de inteligencia”, según las autoridades.

El hombre, de origen oaxaqueño, había decido llevar sus investigaciones a Alemania, Rusia y Singapur hasta que fuera abordado por el gobierno ruso y empezara a trabajar como espía.

Sus descubrimientos lo llevaron a recibir reconocimientos en países como Argentina, Rusia, Alemania, Corea y en su natal México. El Instituto de los Mexicanos en el Exterior de la Secretaría de Relaciones Exteriores (SRE) lo señala como uno de los connacionales destacados en el extranjero y presidente de la Red Global Mexicana en Singapur, donde residía y trabajaba como investigador para su Universidad Nacional.

Amigos del mexicano aseguran que este es inocente y que la detención y señalamientos en su contra corresponden a una conspiración para frenar su labor científica.

Poco antes de su detención, Cabrera Fuentes contó en entrevista para un medio nacional que tenía nuevos descubrimientos importantes, “buenas noticias”, sobre un proyecto en medicina genómica.

Resaltó que sus hallazgos eran de dimensión mundial.

 

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